Resist characteristics simulation of HSQ electron beam resist
Anna Bencurova, Katia Vutova, Elena Koleva, Ivan Kostic, Anna Konecnikova, Adrian Ritomsky, Georgi Mladenov
Hydrogen Silsesquioxane (HSQ) is used as a high-resolution resist with resolution down below 10 nm half-pitch. High-contrast and high-resolution patterning in the negative electron beam HSQ resist has numerous potential applications. Our aim in this work was to investigate lithographic parameters in thicker resist films because the resist thickness of 150 nm is not sufficient for repeatable reactive ion etching (RIE) of various thin films for many applications. The main focus was on investigation of the line-width dependence on the exposure dose in thick HSQ resist and simulation of resist profiles.
Негативният резист HSQ се използва като резист с висока резолюция под 10 нанометра половин терен. Висок контраст и висока разделителна способност моделиране в HSQ има множество потенциални приложения. Нашата цел в тази работа е да се изследва литографски параметри в дебел устои филми защото устои дебелина от 150 nМ, не е достатъчно за повторяеми реактивно йонно ецване (РИО) на различни тънки филми за много приложения. Основният акцент е върху разследване на линия ширина зависимостта относно дозата на експозиция в гъста HSQ устои и симулация на устои профили.
Cite this article as:
Bencurova A., Vutova K., Koleva E., Kostic I., Konecnikova A., Ritomsky A., Mladenov G. Resist characteristics simulation of HSQ electron beam resist. Journal – Electrotechnica & Electronica (Е+Е), Vol. 51 (5-6), 2016, pp. 246-250, ISSN: 0861-4717 (Print), 2603-5421 (Online)
