Computer modeling, simulation and model parameter extraction of submicron integrated circuits using SPICE
Marin H. Hristov, Elissaveta D. Gadjeva
With the fast development of submicron technologies, the need of accurate modeling, simulation and parameter extraction of RF microelectronic devices increases. The accuracy of the developed models and parameter extraction approaches of the passive and active components plays critical role in the RF microelectronic design process. The most used building passive components of RF chips are the planar inductors and planar transformers. The development of accurate models of high-frequency transistors (HBT and MOSFET) allows performing of adequate simulation during the design of RF circuits. In the present paper, a rewiev of research achievements in the field of computer modeling, simulation and parameter extraction of RF microelectronic devices is made. The possibilities of the general-purpose electronic circuit simulators for computer modeling and simulation and for computer-aided model parameter extraction of submicron RF devices are investigated: development of parameterized models in the form of blocks and subcircuits, modification of the computer models in order to increase their efficiency. The accurate modeling of planar inductors allows performing of geometry optimization.
С бързото развитие на субмикронните технологии нараства необходимостта от точно моделиране, симулация и екстракция на параметри на RF микроелектронни елементи. Точността на разработените модели и на подходите за екстракция на параметрите на пасивни и активни компоненти играе решаваща роля в процеса на проектиране на RF микроелектронни схеми. Най-често използваните градивни пасивни компоненти в RF интегралните схеми са планарни бобини и планарни трансформатори. Разработването на точни модели на високочестотни транзистори (HBT и MOSFET) позволява извършване на адекватна симулация в процеса на проектиране на RF схеми. В настоящата статия е извършен преглед на научноизследователските постижения в областта на компютърното моделиране, симулация и екстракция на моделни параметри на RF микроелектронни елементи. Изследвани са възможностите на универсалните програми за анализ на електронни схеми за извършване на компютърно моделиране и симулация и за компютърна екстракция на моделни параметри на субмикронни RF прибори: разработка на параметризирани модели във вид на блокове и подсхеми, модификация на компютърните модели с цел да се увеличи тяхната ефективност. Точното моделиране на планални бобини позволява да се извърши тяхната геометрична оптимизация.
Cite this article as:
Hristov M. H., Gadjeva E. D. Computer modeling, simulation and model parameter extraction of submicron integrated circuits using SPICE. Journal – Electrotechnica & Electronica (Е+Е), Vol. 50 (11-12), 2015, pp. 19-31, ISSN: 0861-4717 (Print), 2603-5421 (Online)
